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内存企业50年沉浮录看中国DRAM企业未来如何超越三星

来源: 作者: 2019-11-10 04:04:32

来源:内容来自超级工程一览,谢谢。

DRAM是动态随机存储器的意思,也就是电脑内存。对今天的消费者来说,电脑内存只是些绿色的小条条,售价不过几百元。然而这些小玩意,却走过了长达120年的复杂演进历史。从百年前的穿孔纸卡、磁鼓、磁芯到半导体晶体管DRAM内存。人们已很难想象,一个电冰箱大小的计算机存储器,只能存储几K数据,售价却高达几万美元。在中国市场,1994年的时候,一根4M内存售价1400元,相当于两个月工资。1999年台湾921大地震,在北京中关村,一根64M SDRAM内存条,价格可以在几天内,从500元暴涨到1600元。

自1970年,美国英特尔的半导体晶体管DRAM内存上市以来,已过去47年。DRAM内存芯片市场,累计创造了超过1万亿美元产值($1000000000000美元)。企业间掺杂着你死我活的生死搏杀。美国、日本、德国、韩国、中国台湾的选手,怀揣巨额筹马,高高兴兴地走进来,却在输光光之后黯然离场。无数名震世界的产业巨头轰然倒地。就连首创DRAM产业的3大元老——英特尔、德州仪器和IBM,也分别在1986年、1998年和1999年,凄惨地退出了DRAM市场。目前,只有韩国三星和海力士,占据绝对垄断地位,在DRAM市场呼风唤雨,赚得盆满钵满。

从美国到韩国,这个巨大的转变,背后隐藏着半个世纪以来,那些不为人知的经济战争,足以载入经济学教科书。把欧美和中国,那些冒牌经济学家,极力宣传的“自由市场经济”论调,完全扫进垃圾堆。

——这是一场真正的经济战争,国与国之间的生死较量,惨烈程度远超液晶战争。

内存企业50年沉浮录看中国DRAM企业未来如何超越三星

1949年,美国哈佛大学实验室的王安博士,发明磁芯存储器。这种古老的存储器一直使用到1970年代。直至被英特尔批量生产的DRAM内存淘汰。

内存百年——1不怕死的都冲进来

在叙述这场经济战争前,我们先从总体上,了解一下DRAM内存产业的脉络和现状。

电脑存储器的发明者,几近都来自计算机巨头——美国IBM公司。IBM的历史最早可追溯到1890年代。美国统计学家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研制了穿孔制表机,采取在卡纸上打孔的方式,记录统计数据。1890年,美国进行第12次人口普查时,便大量采取这种机器。直到1930年代,IBM每一年仍要销售上千万张穿孔纸卡。

1932年,IBM公司的奥地利裔工程师古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek),发明了第一种被广泛使用的计算机存储器,称为“磁鼓存储器”。直到1950年代,磁鼓仍然是大型计算机的主要存储方式。1956年,IBM公司购买了中国人王安博士(上海人),具有的“磁芯存储器”专利。磁芯存储一直使用至1970年代。1966年,IBM公司的研究人员,罗伯特·登纳德博士,发明了半导体晶体管DRAM内存,并在1968年获得专利。

然后,1970年美国英特尔,依靠批量生产DRAM大获成功,逼死了磁芯存储器。1976年日本厂商进攻DRAM市场后,差点将英特尔逼死。1985年美国发动经济战争,扶植韩国厂商进攻DRAM产业,又将日本厂商逼死。1997年美国发动亚洲金融风暴,差点将韩国厂商逼死。美国控制韩国经济后,韩国厂商又借着DRAM市场的暴利翻身崛起。此时不怕死的台湾人冲进DRAM市场,投入500亿美元却亏得血本无归。2007年全球经济危机,逼死了德国厂商,并将台湾DRAM厂商打翻在地,狠踩两脚。2017年,不怕死的中国大陆厂商冲了进来,准备投资660亿美元,进攻DRAM市场。

有人说,中国人疯了。

我说没疯,因为中国——做为世界第一大电子产品制造国,居然90%以上的内存靠进口,剩下那部分,居然连国产的产量,都控制在韩国企业手里。

内存企业50年沉浮录看中国DRAM企业未来如何超越三星

2015年,韩国三星电子投资136亿美元(15.6万亿韩元),在韩国京畿道平泽市,建设12寸晶圆DRAM厂(Fab18)。该项目占地2.89平方公里,总产能预计将达到每月45万片晶圆,其中3D NAND闪存芯片将占据一半以上。主要生产第四代64层堆叠3D NAND闪存芯片。2017年7月4日三星宣布该厂投产。

行业高度垄断——韩国三星独占鳌头

我们来看看市场情况,就知道中国为什么非要进攻DRAM市场了。半导体存储器主要应用于台式电脑、笔记本电脑、手机、平板电脑、固态硬盘、闪存等领域,包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash3大类。2015年全球半导体存储器销售总额达772亿美元。在全球3352亿美元的集成电路产业中,占据23%的份额,是极为重要的产业核心部件。

其中DRAM内存主要用于台式电脑、笔记本电脑,全球市场规模约420亿美元,目前被韩国三星、海力士和美国镁光3家垄断,占据90%以上的份额。从1992年以来,韩国三星在DRAM市场已连续25年蝉联世界第一,占据绝对垄断地位,市占率超过60%。仿佛无人可以撼动它的地位。

NAND Flash闪存主要用于手机存储、平板电脑、SSD固态硬盘、大容量闪存,全球市场规模约300亿美元,垄断情势更加严重。韩国三星、海力士、美国镁光、英特尔、闪迪、日本东芝6家厂商,垄断了全球99%的产量。其中仅三星、海力士、东芝3家,就占了80%以上的份额。NOR Flash闪存属于小众产品,主要用于16M以下的小容量闪存,全球市场规模只有30亿美元,由美国镁光、韩国三星、台湾旺宏、华邦、中国大陆的易兆创新等7家企业瓜分。

行业高度垄断造成的结果,是前三大厂商可以轻易操纵产量和价格,用低价来挤垮竞争对手,或用涨价来谋取暴利。2016年由于全球内存芯片缺货,三星电子营业收入到达809亿美元,利润高达270亿美元。韩国海力士收入142亿美元,美国镁光收入128亿美元。

而中国厂商深受其害。中国是世界最大的电子产品制造国。2016年,光是中国就是生产了3.314亿台电脑,21亿台手机(其中智能手机占15亿台),1.78亿台平板电脑。与之相对应,2016年,中国进口DRAM产品超过130亿美元。中国需要的存储器芯片9成以上需要进口。国内DRAM产能也掌握在韩国海力士等外资厂商手中。

内存企业50年沉浮录看中国DRAM企业未来如何超越三星

2015年起,美国镁光(Micron),在新加坡Woodlands投资40亿美元,扩建Fab 10X晶圆厂,主要生产第二代32层堆叠3D NAND闪存。2017年建成后,月产能14万片晶圆,采用16纳米工艺。

DRAM起源——IBM公司罗伯特·登纳德博士的杰作

1960年代初期,美国电子产业,主要由IBM、摩托罗拉、德州仪器、美国无线电公司(RCA)等老牌企业控制。他们依托二战时期,美国政府的巨额军工订单,发展成为产业巨无霸。二战后主要生产电视机、收音机等新兴的家用电器,并为美军武器提供电子设备。电子计算机也是新的产业热门,IBM具有领先优势。

IBM公司在1956年,花费巨资从王安手里,购买磁芯存储器专利,主要是为了解决大型计算机存储数据问题。磁芯存储器其实不完善,不但磁芯容易破坏,而且价格昂贵,运行速度也慢。但是,磁芯存储器比磁鼓有个重要优点:电脑断电后,磁芯保存的数据不会消失。为解决磁芯存储器存在的不足,IBM进行了长达10几年的研究。

1961年,IBM在纽约州成立了以半导体为方向的托马斯·沃森研究中心。仙童当时是IBM的半导体器件供应商,并且发展非常迅速。1965年,仙童公司的戈登·摩尔,在《电子学》杂志发表文章预言:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数量,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升1倍。这个预言后来被称为“摩尔定律”。

1966年,IBM托马斯·沃森研究中心,34岁的罗伯特·登纳德(Robert H. Dennard)博士,提出了用金属氧化物半导体(MOS)晶体管,来制作存储器芯片的假想。原理是利用电容内,存储电荷的多寡,来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。每个bit只需要一个晶体管加一个电容(1T/1C结构)。1968年6月,IBM注册了晶体管DRAM专利(3387286号专利)。但是由于IBM正在遭受美国司法部的反垄断调查,拖延了DRAM项目商业化进度,这给其他公司带来了机会。

此时,晶体管集成电路已经成为产业热潮,大批美国公司投入这1领域。1969年,加州桑尼维尔的Advanced Memory system公司,最早生产出1K容量的DRAM,并出售给计算机厂商霍尼韦尔。但是由于存在DRAM工艺上的缺点,霍尼韦尔后来向新成立的英特尔公司寻求帮助。

1972年前后,英特尔公司为美国prime电脑公司,生产的微型电脑主板上,焊接了128颗1K存储容量的C1103 DRAM内存,组成128K容量的内存,以便运行类似DOS的操作系统。1GB=1048576KB,如今一根最普通的4G内存,容量等于这块老古董的3.2万倍。最大的单根内存容量达到128G,是这家伙的100万倍。

英特尔C1103——DRAM内存商业化大获成功

1967年,仙童半导体成立10年时,公司营业额已接近2亿美元(作为比较1967年中国外汇储备为2.15亿美元)。但是随着德州仪器、摩托罗拉、国家半导体在晶体管市场的崛起,仙童的利润迅速下滑,加之巨额研发投入,企业内部矛盾严重。仙童的行业第一地位,迅速被德州仪器取代。

1968年8月,仙童总经理鲍勃·诺伊斯,拉着研发部门负责人戈登·摩尔辞职。从风险投资家阿瑟·洛克那里拉来250万美元投资,正式成立了英特尔(Intel)公司,洛克出任董事长。Intel在英文中含有智慧和集成电路的意思,商标是花1.5万美元,从一家酒店手里买的。当时公司只有诺伊斯和摩尔两个员工,他们招兵买马时,又从仙童公司挖来了工艺开发专家安迪·格鲁夫,担负运营总监。

英特尔成立之初,继承了仙童的技术能力。公司制定的发展方向是研制晶体管存储器芯片,这是一个全新的市场。当时的半导体工艺主要有双极型晶体管,和场效应(MOS)晶体管。这两项工艺都是仙童的长项。但是哪一种工艺用来生产的芯片更好,他们其实不清楚。因而公司成立了两个研发小组。1969年4月,双极型小组推出了64bit容量的静态随机存储器(SRAM)芯片C3101,只能存储8个英文字母。这是英特尔的第一个产品,客户是霍尼韦尔。

此时在美国电脑市场上,IBM已经成为无可争议的霸主,被称为蓝色伟人,其他电脑厂商在重压下苦不堪言。霍尼韦尔公司为了提高其计算机性能,正在寻觅SRAM存储器,这为英特尔带来了市场机会。与此同时,仙童公司的市场主管杰里·桑德斯,又拉走了一批人,成立了AMD公司。由于融资困难,桑德斯找到了英特尔公司的诺伊斯寻求帮助,最后拉来了155万美元投资。尔后的半个世纪里,英特尔和AMD成为一对难分难解的竞争对手。

1969年7月,场效应管小组推出了256bit容量的静态随机存储器芯片C1101。这是世界第一个大容量SRAM存储器。霍尼韦尔很快下达了定单。随后,英特尔研究小组不断解决生产工艺中的缺点,于1970年10月,推出了第一个动态随机存储器(DRAM)芯片C1103,有18个针脚。容量有1Kbit,售价仅有10美元,它标志着DRAM内存时期的到来。

当时的大中型计算机上,还在使用笨重昂贵的磁芯存储器。为了向客户宣扬DRAM的性能优势,英特尔展开全国范围的营销活动,向计算机用户宣扬DRAM比磁芯更便宜(1比特仅需1美分)的概念。由于企业客户出于安全斟酌,不会购买独家供货的产品,必须要有可替换的第二供货源。因而英特尔选择了加拿大的一家小公司,微系统国际公司(MIL)合作,授权他们用1英寸晶圆生产线进行生产,每年收取100万美元的授权费用。C1103的用户主要包括惠普电脑的Hp9800系列,和DEC公司的pDp-11计算机,产量有几十万颗。

1972年,凭借1K DRAM获得的巨大成功,英特尔已成为一家具有1000名员工,年收入超过2300万美元的产业新贵。C1103也被业界称为磁芯存储器杀手,成为全球最畅销的半导体芯片。同年IBM在新推出的S370/158大型计算机上,也开始使用DRAM内存。到1974年,英特尔占据了全球82.9%的DRAM市场份额。

加入DRAM战场——德州仪器、莫斯泰克、镁光

1973年石油危机爆发后,欧美经济停滞,电脑需求放缓,影响了半导体产业。而英特尔在DRAM存储芯片领域的份额也快速下降。因为他们引来了竞争对手,主要有德州仪器(TI)、莫斯泰克(Mostek)和日本NEC。

早在1970年英特尔发布C1103后,德州仪器便对其进行拆解仿造,通过逆向工程,研究DRAM存储器工艺结构。1971年德州仪器采取重新设计的3T1C结构,推出了2K产品。1973年德州仪器推出本钱更低,采取1T1C结构的4K DRAM(型号TMS4030),成为英特尔的强劲对手。

莫斯泰克则是一家小公司,1969年,德州仪器半导体中心的首席工程师L.J.Sevin(MOS场效应管专家),拉着一帮同事辞职,在马萨诸塞州成立了莫斯泰克(Mostek)公司,工厂设在德州卡罗尔顿,主要为计算机企业配套生产存储器件。Mostek开发的第一个DRAM产品MK1001,只有1K容量。1973年,Mostek采用公司创始人Robert proebsting设计的地址复用技术,研制出16针脚的MK4096芯片,容量提高到4K。16针脚的好处是制造本钱低,当时德州仪器、英特尔和摩托罗拉制造的内存是22针脚。

凭仗低成本,莫斯泰克逐渐在内存市场获得优势。而英特尔此时将精力放在开发8080处理器上,在微型计算机市场获得巨大成功。1976年莫斯泰克推出了采用双层多晶硅栅工艺的MK4116,容量提高到16K。这1产品帮助莫斯泰克击败英特尔,占据了全球75%的市场份额。

其后莫斯泰克又开发了64K容量的MK4164,到70年代后期,一度占据了全球DRAM市场85%的份额。但是随着日本厂商便宜芯片的疯狂冲击,短短几年时间,美国厂商就撑不住了。1979年,堕入窘境的莫斯泰克,被美国联合技术公司(UTC),以3.45亿美元收购。后来又转卖给了意法半导体。

1978年,从莫斯泰克离职的3名设计工程师,拉来风险投资后,在爱达荷州一家牙科诊所的地下室,创办了镁光科技(Micron)。镁光签订的第一份合约是为莫斯泰克设计64K存储芯片。后来,镁光从爱达荷州亿万富翁,靠生猪养殖起家的J.R.Simplot那里拉来了投资,开始建设第一座DRAM工厂。为了节省投资费用,工厂建设在一家废弃的超市建筑里,肉类冷库被改造成净化车间,生产设备也是二手的。到1981年晶圆厂投产,只花了700万美元,而新建一座同类工厂的投资额,一般是1亿美元。镁光的第一批产品是64K DRAM,主要供应给正在飞速突起的个人电脑制造商。像当时销量很高的Commodore 64电脑,就是采取镁光64K内存。到1984年,镁光推出了世界最小的256K DRAM。

与莫斯泰克类似,镁光的敌人来自日本。1980年,日本研制的DRAM产品,只占全球销量的30%,美国公司占到60%。到了1985年局势已经完全倒转。由于日本便宜DRAM的大量倾销,镁光被迫裁员一半,1400名工人失业。镁光只得向美国政府寻求帮助。从1985年至1986年,英特尔连续亏损六个季度。DRAM市场份额仅剩下1%。当时,英特尔的年销售额为15亿美元,亏损总额却高达2.6亿美元,被迫关闭了7座工厂,并裁减员工。濒临死亡的英特尔,被迫全面退出DRAM市场,转型发展CpU,由此取得新生。

日本电子企业、汽车企业的凶猛攻势,终究引爆了美日两国的经济战争。

举国体制——筹集720亿日元研制DRAM核心装备

在1970年代,日本虽然可以生产DRAM内存芯片,但是最关键的制程设备和生产原料要从美国进口。为了补足短板,1976年3月,经通产省、自民党、大藏省多次协商,日本政府启动了\DRAM制法革新\国家项目。由日本政府出资320亿日元,日立、NEC、富士通、三菱、东芝5大企业联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元(2.36亿美元)为基金,由日本电子综合研究所,和计算机综合研究所牵头,设立国家性科研机构——“VLSI技术研究所”(超LSI技術研究組合)。研究所地址就选在,位于川崎市高津区的NEC中央研究所内。日立公司社长吉山博吉担任理事长,根橋正人负责业务领导,垂井康夫担负研究所长,组织800多名技术精英,共同研制国产高性能DRAM制程设备。目标是近期突破64K DRAM和256K DRAM的实用化,远期在10-20年内,实现1M DRAM的实用化。(VLSI是超大规模集成电路的简称)

在这个技术攻关体系中,日立公司(第一研究室),负责电子束扫描装置与微缩投影紫外线曝光装置,右高正俊任室长。富士通公司(第二研究室)研制可变尺寸矩形电子束扫描装置,中村正任室长。东芝(第三研究室)负责EB扫描装置与制版复印装置,武石喜幸任室长。电气综合研究所(第四研究室)对硅晶体材料进行研究,饭塚隆任室长。三菱电机(第五研究室)开发制程技术与投影曝光装置,奥泰二任室长。NEC公司(第六研究室)进行产品封装设计、测试、评估研究,川路昭任室长。

在产业化方面,日本政府为半导体企业,提供了高达16亿美元的巨额资金,包括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策,帮助日本企业打造DRAM集成电路产业群。到1978年,日本富士通公司,研制成功64K DRAM大规模集成电路。美国IBM、莫斯泰克、德州仪器也在同时发布了产品。这一年,由于日本64K动态随机存储器(DRAM)开始打入国际市场,集成电路的出口迅速增加。

1980年,日本VLSI联合研发体,宣告完成为期4年的“VLSI”项目。期间申请的实用新型专利和商业专利,到达1210件和347件。研发的主要成果包括各型电子束曝光装置,采取紫外线、X射线、电子束的各型制版复印装置、干式蚀刻装置等,取得了引人注目的成果。针对难度大的高风险研究课题,VLSI项目采取多个实验室群起围攻的方式,调动各单位进行良性竞争,保证研发成功率。各企业的技术整合,保证了DRAM量产成功率,奠定了日本在DRAM市场的霸主地位。

1970年代,日本松下电器京都府长冈工场,整齐排列的100台自动焊线机,只需要10个人操作。该厂从1968年开始半导体生产。1970年代美国向马来西亚、韩国、台湾转移电子制造业,以下降人力本钱。日本则采取大规模自动化生产的方式来降低成本。日本报纸震惊地写道:半导体工厂的人都消失了。

取得丰富回报——日本跃居世界第一大DRAM生产国

1977年,全球的个人电脑出货量总计大约4.8万台。到1978年已暴增至20万台,市场规模大约5亿美元。其中美国Radio Shack公司(电器连锁零售店)出售的Tandy TRS-80电脑销量约10万台,均价600美元,销售额6000美元,采取盖茨新开发的操作系统,CpU则是从英特尔辞职的前首席设计师费金,研制的Zilog—Z80。苹果公司的Apple II销量到达2万台,平均单价1500美元,属于高端货,年销售额约3000万美元。个人电脑市场的高速增长,对内存产生了大量需求。这给日本DRAM厂商带来了出口机会。

做出口贸易的都知道,出口货不但价钱便宜,质量还要好。而在当时,美国人一般认为日本货质量低劣,远远比不上美国货。但是实际的结果使人大跌眼镜。1980年,美国惠普公司公布DRAM内存采购情况。对竞标的3家日本公司和3家美国公司的16K DRAM芯片,质量检验结果显示:美国最好DRAM公司的芯片不合格率,比日本最差DRAM公司的芯片不合格率,高出整整6倍。虽然惠普碍于情面,没有点出这些公司的名字。但人们很快知道了,3家美国公司是英特尔、德州仪器和莫斯泰克,3家日本公司是NEC、日立和富士通。日立公司为了拿到订单,乃至在给销售部门的指示上明确要求,要比美国公司的价格低10%。

质量好,价格低,量又足,日本DRAM内存在美国迅速崛起。1982年,日本成为全球最大的DRAM生产国。这一年3月,日本NEC的九州工厂,DRAM月产量为1000万块(约1万片晶圆)。到了10月,月产量暴增至1900万块。其产量之大,成品率之高(良率超过80%),质量之好,使得美国企业望尘莫及。与产量相伴的是,原来价格虚高的DRAM内存模块,价格暴降了90%。一颗两年前还卖100美元的64K DRAM存储芯片,现在只要5美元就能买到了,日本厂商还能赚钱。美国企业由于芯片成品率低,根本无法与日本竞争,因此堕入困境。

1982年,美国50家半导体企业秘密结成技术同享同盟,避免资金人力重复投资。可是这些合作项目刚刚启动,就传来了坏消息。美国刚刚研制出256K DRAM内存,而日本富士通、日立的256K DRAM已批量上市。1983年间,销售256K内存的公司中,除富士通、日立、三菱、NEC、东芝之外,只有一家摩托罗拉是美国公司。光是NEC九州工厂的256K DRAM月产量,就高达300万块。日本厂商开出的海量产能,致使这一年DRAM价格狂跌了70%。内存价格狂跌,使得正在跟进投资更新技术设备的美国企业,普遍陷入巨额亏损状态。难以承受亏损的美国企业,纷纷退出DRAM市场,又进一步加强了日本厂商的优势地位。

1978年3月15日,日本朝日新闻,报导垂井康夫担负所长的VLSI技术研究所,研制成功电子束扫描装置。

低成本优势——美国厂商节节败退

1984年,日本DRAM产业进入技术爆发期。通产省电子所研制成功1M DRAM,三菱乃至公然展出4M DRAM的关键技术。日立生产的DRAM内存,已开始采取1.5微米生产工艺。东芝电气综合研究所,则投资200亿日元,建造超净工作间。在这类超净厂房内,每立方米的净化空气中,直径0.1微米的颗粒,不能超过350个。只有在这类条件下才能制备1M、4M容量的DRAM存储器。与此同时,东芝研制出直径8英寸(200mm)级的,世界最大直径硅晶圆棒。到1986年,光是东芝一家,每个月1M DRAM的产量就超过100万块。

日本企业大量投资构成的产业优势,导致日本半导体对美国出口额,从1979年的4400万美元,暴增至1984年的23亿美元。5年间暴增52倍!而同时期,美国对日本出口的半导体,仅仅只增长了2倍。美国公司失去产品竞争力的后果,便是越想追逐越要投资,越投资亏损越大,陷入恶性循环。

以英特尔为例,本来到1978年前后,英特尔在莫斯泰克的猛攻下,已成为美国DRAM市场的落后角色,美国市场占有率低于20%。但是随着1980年后,日本DRAM产品大量出口美国,英特尔的日子就过不去下了。虽然DRAM产品只占英特尔销售额的20%,但是为了保住这块核心业务,公司80%的研发费用投向了DRAM存储器,明显是本末倒置。等到英特尔好不容易开发出新DRAM产品,此时日本厂商已经在低价倾销成品,致使英特尔无利可图,连研发费用都赚不回来。1984年至1985年间,堕入巨额亏损的英特尔,被迫裁员7200人,仍不能改变困局。1985年10月,英特尔向外界宣布退出DRAM市场,关闭生产DRAM的7座工厂。

1985年,全球半导体产业转入萧条,半导体价格大幅度下跌。64K DRAM由1984年的3美元,下降到1985年中旬的0.75美元。同期,256K DRAM由31美元下降到3美元。价格暴跌使美国英特尔、国家半导体等厂商撤出了DRAM市场。然而,就在同一年,日本NEC的集成电路销售额,排名世界第一,企业营业额是2战前的三百多倍,一举超出长时间是行业龙头的美国德州仪器公司。凭借VLSI项目的成功,日本企业一举占据了64K、128K、256K和1M DRAM市场90%的份额。

1991年6月,日本驻美大使村田良平,与布什政府的美国贸易代表卡拉·安德森·希尔斯,在华盛顿签署新的五年期《日美半导体协议》。美国希望在1992年底前,能够在日本半导体市场占据20%的份额。这个协议让美国企业喘口气,韩国半导体产业则异军突起。到1995年底,外国半导体在日本市场占有率超过了30%。希尔斯这个女人非常利害,中国的很多对美贸易谈判,都是以她为对手。

韩国产业同盟——四大财阀全力进攻DRAM产业

1976年,就在日本启动VLSI研究项目的同时,韩国政府在龟尾产业区(汉城东南200千米),建立韩国电子技术研究所(KIET),分为半导体设计、制程、系统3大部门。每个部门都交由具有美国半导体产业研究经验的专员领导。并招收美国归来工程师,设置试验生产线,协助企业研发集成电路关键技术。1978年,韩国电子技术所通过与美国硅谷的公司合资,建造了韩国第一条3英寸晶圆生产线(比台湾工研院晚2年),并在1979年生产出16K DRAM。虽然比日本落后几年,但这是韩国第一次掌握VLSI(超大规模集成电路)技术。

电子产业的景气环境,促使韩国LG、现代等财阀,都加入了半导体产业。韩国贸工部因此牵头,组建了韩国电子产业同盟(EIAK)。该同盟后来在韩国高科技产业发展中,扮演举足轻重的角色。而三星、LG和现代,成为韩国在半导体领域进行技术突破的主力军。1980年1月,三星电子与三星半导体合并,组成新的三星电子,专攻半导体领域。

到1983年,日本DRAM内存在美国市场大获成功的时候,眼红的韩国四大财阀——三星、现代、LG和大宇,全部安排资金,重资下注DRAM产业。它们的企业策略很明确:以较低的本钱追赶日本DRAM产业。而韩国全斗焕政府,采取了金融自由化政策,松绑融资环境。1983年的股票价格上涨,让韩国各财阀能够轻易调动资金,投入到半导体产业。

韩国三星位于汉城以南30公里的龙仁市器兴的产业基地。

技术起步期——三星从美国日本弄来技术

1983年2月,三星团体创始人李秉喆在东京发表宣言:宣布三星团体正式进军半导体产业,并准备出资1000亿韩元(约1.33亿美元),履行这项计划。在此之前,三星已建立半导体实验室,并聚焦在DRAM领域。三星之所以选择DRAM,是考虑到在所有存储产品中,DRAM的应用范围和市场潜力最大。但是从技术领域看,三星当时存在着巨大的技术鸿沟。如何取得先进核心技术呢?三星尝试从国外引进技术,连续遭到美国德州仪器、摩托罗拉、日本NEC、东芝、日立等公司的谢绝。

终究,三星通过美国几家堕入窘境的小型半导体公司找到门路。当时美国镁光科技规模还很小,已被日本便宜DRAM挤压得喘不过气,还要投钱研发256K DRAM产品。于是镁光将64K DRAM的技术授权给了韩国三星。三星又从加州西翠克斯(CITRIX)公司买到了高速处理金属氧化物的设计。

取得两家美国公司技术后,三星分别在美国硅谷和汉城南部30公里的龙仁市器兴(Giheung),设立两个研发团队,招募韩裔美国工程师,日以继夜地消化吸收技术。硅谷团队负责收集美国的产业技术资讯。器兴团队负责建设工厂,熟习三星从日本夏普手里弄来的量产制程装备。日本夏普由于被通产省归类为消费电子公司,而非IC半导体公司,因此不受出口技术规范管制。三星找到这个漏洞,从夏普买来设备。六个月后,三星的工程师成功掌握了,量产64K DRAM的301项流程,和其中8项核心技术,顺利制造出生产模组。

1983年12月1日,三星电子社长姜振求召开记者招待会,宣布三星已继美、日两国以后,成功自行研发出64K DRAM。1984年5月,三星第一座DRAM工厂在器兴竣工,工期只用了半年。四个月后开始批量生产的64K DRAM。这比美国研制的同类产品晚了40个月,比日本晚了6年。当时三星生产线上的员工,多数是农村来的妇女,文化素质不高,但是服从性好。工厂技术管理,主要靠三星从美国高薪招募回来的韩裔工程师。

引进技术——八仙过海各显神通

继三星以后,韩国LG、现代,也通过引进国外技术,积累了核心技术能力。1984年,LG半导体接收了韩国电子技术研究所(KIET),掌握了老旧的3英寸晶圆生产线。1986年,LG投资1.35亿美元,从美国AMD公司取得技术授权,并和美国AT&T下属的西方电子(Western Electric)成立合资公司。LG曾试图购买AT&T的256K DRAM以超出三星,结果未能如愿。LG因此在64K产品上落后于三星和现代。直至1989年,LG与日立签署技术转移协议,才取得稳定的技术来源。由于韩国当时已完成对1M和4M DRAM的技术攻关。因而日立将自己的1M和4M DRAM量产技术转移给LG,LG支付几百万美元的专利授权费用,产品以OEM方式直接出口给日立。日立这样做,主要是为了获得稳定的OEM供货来源,使日立公司能够腾出人力,专注于下一代16M DRAM的制程研发。同时,也可以使日立控制韩国竞争对手的产能。

韩国现代则比较特殊,这个财团以汽车造船和重型机械为主,几乎没有任何电子产业经验。但是为了保持在汽车等产业的技术竞争力,必将要发展电子工业。因而在1982年底,现代投资高达4亿美元,启动半导体研制项目。现代效仿三星,也在韩国和美国硅谷设置了两个研发团队。国内是由114名工程师组成的半导体实验室,硅谷建立了现代电子的子公司,由韩裔美国工程师组成。1984年,韩国现代从硅谷华人陈正宇博士,经营的美国茂矽(Mosel)公司,购买64K SRAM设计,开发出16K SDRAM芯片并量产。由于缺少经验,导致现代的量产成品率低。(陈正宇随后回到台湾,成立了台湾茂矽电子。)

无法承受亏损压力——韩国大宇退出DRAM市场

面临技术障碍的现代电子,被迫转向OEM代工方式,取得技术来源。1985年前后,由于美国厂商在日本进攻下节节败退,美国德州仪器为下降制造本钱,与韩国现代签订OEM协议,由德州仪器提供64K DRAM的工艺流程,改进产品良率。1986年,现代电子成为韩国第二家,量产64K产品的制造商(比三星慢了两年)。由于技术基础薄弱,现代的市场占有率远弱于三星和日本企业。由于DRAM市场不景气,现代承受了巨额亏损。幸亏现代是大型财团,可以从汽车造船等其他部门,挪用资金来支持现代电子。事实上,现代电子从1982年投资4亿美元到DRAM产业,要等10年后才能收回全部投资。尤其在前三年,现代电子承受了数亿美元的巨额亏损。韩国大宇则在技术和资金压力下,完全退出了DRAM市场竞争。

1982年至1986年间,韩国四大财团在DRAM领域,进行了超过15亿美元的疯狂投资,相当于同期台湾投入的10倍。同时期,中国上海宝钢项目投资40亿美元左右。但是在电子工业方面,中国政府几近放弃了产业主导权。各省市胡乱花费了3-5亿美元,购买外国淘汰技术,根本未能构成技术竞争力。而且在广东、福建、海南、浙江等沿海省分,巨额走私日本、美国、台湾电子元器件的冲击下,中国电子工业完全崩溃,就这样跪了三十年也没能爬起来。

面对韩国企业咄咄逼人的追逐态势,日本厂商以低于韩国产品本钱一半的价格,向市场大量兜售产品,故意迫使韩国人出局。结果韩国大型财团不但顶住巨额亏损压力,追加投资,还让日本企业承担了美国反倾销的压力。美国与日本的纷争,让韩国渔翁得利。1992年,韩国三星超越日本NEC,首次成为世界第一大DRAM内存制造商,并在其后连续蝉联了25年世界第一。

1990年8月,韩国三星成为世界第三个推出16M DRAM内存芯片的企业。

韩国产业扩大——补齐短板抢占市场

从1990年开始,韩国3大企业已具有了,赶超日本DRAM产业的技术体系建设。三星建立了26个研发中心,LG和现代各有18、14个研发中心。与之对应的是,三星的技术研究费用成倍增加。1980年三星在半导体领域的研发费用唯一850万美元,到1994年已高达9亿美元。1990年三星还落后日本,第三个推出16M DRAM产品。到1992年,三星领先日本,推出世界第一个64M DRAM产品。1996年,三星开发出世界第一个1GB DRAM。与研发费用相对应,1989年韩国的专利技术运用有708项,1994年窜升至3336项。

但是作为产业落后者的韩国,依然存在致命短板。韩国的核心生产装备和原料,主要从美国、日本进口。仅在1995年,韩国就进口了价值25亿美元的半导体生产装备,其中47%自日本进口,30%来自美国。由于日本政府在装备管制方面的漏洞,韩国可以轻易买到日本先进设备,但是却很难从日本引进技术。为了减少对外国供应商的依赖,1994年,由韩国政府主导,推出总预算2000亿韩元(2.5亿美元)的半导体设备国产化项目,鼓励韩国企业投资装备和原料供应链。韩国贸工部在汉城南部80公里的松炭和天安,设立两个工业园区,专门供给半导体设备厂商设厂。为了挖来技术,韩国以优厚条件招揽美国化工巨头杜邦、硅片原料巨头MEMC、日本DNS(大日本网屏)等厂商,在韩国设立合资公司。

完成量产技术积累后,韩国企业开始向产业广度扩大,以三星为例:三星从美国SUN公司引进JAVA处理器技术,从法国STM(意法半导体)引进DSp芯片技术,从英国ARM引进声音处理芯片技术,与日本东芝、NEC、冲电气(OKI)展开新型闪存方面的技术交流。通过与美国、欧洲企业建立同盟合作关系,三星在DRAM以外,取得了大量芯片产业资源,开始向微处理器(CpU)等领域快速扩大。

1995年美国微软公司推出Windows 95操作系统,受此影响,韩国与日本厂商疯狂扩充产能,致使DRAM产品供过于求,引发DRAM价格狂跌70%。但是在美国的刻意扶植下,韩国厂商依然力压日本。1996年,韩国三星电子的DRAM芯片出口额达到62亿美元,居世界第一,日本NEC居第二。韩国现代电子以21.26亿美元居第三位。LG半导体以15.4亿美元居第九位。

虽然产能在不断增加,但为此投入的巨额资金,使得韩国和日本厂商都背负着巨额债务。当潮水退去时,才看出谁在裸泳。

台湾DRAM产业起步——宏碁电脑咬牙进场

1989年,台湾宏碁电脑(占股74%)与美国德州仪器(占股26%)合资,设立德碁半导体,投资31亿元新台币(1.2亿美元),由德州仪器提供技术,在新竹园区建设6英寸晶圆厂,生产1M DRAM产品。这是台湾第一家专业DRAM生产厂。台积电前厂长高启全,也在这一年,集资8亿元新台币,创建了旺宏电子,后来成为全球最大的只读存储器(ROM)生产商。

宏碁电脑最早是1976年,由施振荣等人创办的一家小公司,靠生产计算器起家,后来生产小教授掌上学习机壮大,1988年宏碁股票上市。凭仗台湾股市疯狂上涨张罗到充裕资金,宏碁看好电脑行业,便一头扎进了DRAM产业。但是等到德碁设厂后,市场已向4M DRAM过渡,宏碁只好追加投资。1990年前后,内存市场不景气加上台湾股市暴跌,逼迫德碁咬牙发行了9亿元的三年期特别股,年息5%,期满后由宏碁购回。

面对沉重的资金压力,宏碁还将16%的德碁股份,转让给了中华开发信托公司。宏碁的苦日子熬了三年,直到1992年日本住友半导体环氧树脂厂爆炸,引发DRAM价格谷底翻升,德碁才扭亏为盈。随后又建设了1座8英寸晶圆厂。但是由于景气周期影响,1997至98年德碁累计亏损超过50亿元,美国德州仪器也受不了亏损,干脆把DRAM业务甩卖给了镁光,跟台湾宏碁的技术合作自然也就终止了。在失去技术来源后,到1999年,宏碁将德碁半导体,高价出售给了台积电,账面获利超过200亿元新台币。德碁也被台积电改造成了晶圆代工厂。

工研院技术攻关——世界先进半途而废

面对日本、韩国日新月异的DRAM技术能力,1990年,台湾官方在美国顾问建议下,启动了“次微米制程技术发展五年计划”,目标是砸下58.8亿元(约2亿美元),攻克8英寸晶圆0.5微米制程技术,获得4M SRAM和16M DRAM的生产能力。联华电子、台积电、华邦电子、茂矽电子、旺宏电子、天下电子等6家企业参与其中。由于台湾并没有相干的技术能力,台湾方面找到了美国IBM公司,负责16M DRAM研制的卢超群博士等人,由他们在台湾设立钰创科技,将技术转移到台湾。

由于台湾产业技术薄弱,1990年代以后,工研院电子所和从美国回来的研发人员,成为台湾半导体产业发展的技术源头。与此同时,美国半导体产业在日本廉价芯片攻势下节节败退,大规模裁员也迫使一批硅谷华人,回到台湾创业。

1994年12月,台湾省经济部为了落实工研院的次微米计划成果,决定在新竹园区,投资180亿元(5亿多美元),由台积电占股30%,和华新丽华、矽统、远东纺织等13家公司合股,成立世界先进积体电路股份有限公司(简称世界先进),建设台湾第一座8英寸晶圆厂,以DRAM芯片为主攻业务。但是世界先进的经营状况很不好,2001年亏损92.93亿元,元气大伤。到2003年,世界先进严重亏损,累计亏损达194.12亿元,被迫退出了DRAM生产。在台积电主导下,世界先进完全转型成了晶圆代工厂。从1994年至2003年,世界先进只有3年出现获利,亏损却长达7年。究其亏损缘由,在于企业投资规模太小,产能微不足道,根本无力与韩国三星、日本NEC等巨无霸,进行同场厮杀。而张忠谋并不看好台湾DRAM产业,台积电的晶圆代工产能却供不应求,因此张忠谋力争将世界先进,向晶圆代工厂转型。

世界先进是台湾唯一一家,能够进行DRAM产业技术研发的企业。其他企业全部是花费巨额资金,从日本、美国取得制程技术授权。每年付出的技术费用,占销售额3%以上。再加上巨额进口设备投资,使得台湾企业根本无法与掌握自主技术研发能力的韩国企业竞争。世界先进的垮台,终究导致台湾DRAM产业犹如无根之木,注定了失败命运。

力晶疯狂投资——十年亏损一年赚回

1993年,台湾电脑主板生产厂——精英(力捷)电脑的董事长黃崇仁,在全球DRAM严重缺货的情况下,跑到日本东芝要货,却吃了闭门羹。黃崇仁决定自行投资生产DRAM。在从日本三菱电机取得技术授权后,1994年黃崇仁投资4亿元新台币,在新竹园区成立了力晶半导体。由于财力薄弱、技术薄弱,力晶面临极大的困难,直到1996年才建成了第一条8英寸生产线,以0.4微米工艺生产16M DRAM/SDRAM。1998年2月力晶股票成功上市,但是由于0.18微米制程的生产良率问题,加上市场不景气,到1998年底,力晶税前亏损38亿元,4年累计亏损65.69亿台币,已到了存亡关头。黃崇仁在情急之下,找张忠谋帮忙。张忠谋趁机用台积电控股的世界先进,向力晶注资27亿元,获得日本三菱电机和兼松商社释出的11%力晶股份,成为力晶最大股东。在张忠谋引导下,力晶也开始向晶圆代工转型。

2000年DRAM产业景气大好。此时只有1座8英寸厂的力晶,宣布投资600亿元(19亿美元)巨额资金,建设12英寸晶圆厂。这是一项极为疯狂的投资。工程开始后,景气却迅速下滑,为了筹集资金,力晶发行了2亿美元公司债。到2002年12寸新厂建成,力晶连年亏损。由于三菱电机将DRAM业务并入尔必达,力晶于是和尔必达结成同盟,取得90纳米技术授权。2003年力晶又开工兴修了第二座12英寸厂。直至2004年,力晶的12寸晶圆厂,成为全球唯一将256M SDRAM生产成本,降至3美元以下的厂商。当年盈利高达165.49亿元(约5亿美元),把过去十年赔掉的钱,一次赚了回来。力晶的股价也顺势大涨,成为台湾DRAM股王。

2004年是一个节点,英特尔在向业界力推新规格的DDR2内存,以淘汰DDR内存。全球DRAM产业从8英寸厂向12英寸厂转移产能,以下降制造成本。一片12英寸晶圆,虽然材料成本比8英寸晶圆贵52%,但是产量是8英寸晶圆的2.25倍,可以使产品颗粒成本着落30%左右。但是8英寸厂的投资额约10-15亿美元,12英寸厂的投资额,竟暴涨至20-25亿美元。在2000年市场景气时,几近每一家厂商都放话要盖12英寸晶圆厂,然而经过两年景气衰退,还敢投资建设12寸厂的业者,只剩下了八家——分别是韩国三星、海力士,美国镁光,德国英飞凌,日本尔必达,台湾的茂德、南亚科技和力晶。无力建设12寸晶圆厂的公司,也就只好洗牌出局,去做晶圆代工了。2006年力晶与日本尔必达合作成立瑞晶电子,用老旧的8寸生产线,专门做晶圆代工业务。并规划5年内在台湾中部科学园区,建设4座月产能6万片的12英寸晶圆厂。总投资额高达4500亿元新台币(约136亿美元)。同年瑞晶又将旺宏电子闲置的12寸生产线收购过来,专门进行代工生产。

土豪股东——台塑集团重资下注

1995年3月,台湾龙头企业台塑集团,成立南亚科技,在台北县南林园区设立8英寸DRAM厂,月产能3万片。技术来自日本冲电气(OKI)授权的16M DRAM。台塑为了解决晶圆供应问题,还投资42亿元台币,与日本小松合资成立了专门生产高纯度晶圆棒材的工厂。这就使南亚具有了本钱优势。南亚的每片8寸晶圆制造本钱约1000美元,比同业的1300-1400美元要低很多。

由于遇到景气衰退,南亚科技从建厂起就连年亏损。但是凭仗台塑集团资本雄厚,1998年7月,南亚科技在DRAM市场最低迷的时候,开工建设第二座8寸晶圆厂,并与美国IBM签订了0.2微米64M DRAM的技术授权协议。南亚当时是IBM服务器DRAM的主要供应商之一。到2000年8月,南亚试生产的0.175微米64M DRAM开始大量投片,良率到达70%,每片8寸晶圆可以产出1050颗成品,加上封装测试费用,每颗成品的本钱只有2美元左右。如果依照月产能3万片计算,每个月可生产3150万颗左右的DRAM芯片颗粒,价值超过6000万美元。但是由于产业不景气,2001年南亚亏损115.64亿元(3.5亿美元)。幸亏台塑团体筹集巨资才度过难关。

到2002年,全球DRAM产业不景气,由英特尔主推的Rambus内存,因技术缘由败给了DDR内存,DDR成为市场主流。而南亚凭仗DDR内存的本钱优势,盈利100亿元(2.86亿美元),成为台湾五大DRAM厂中,唯一盈利的厂商。老牌DRAM大厂华邦电子,由于不堪亏损,干脆转去做晶圆代工了。

2003年1月,南亚科技与德国英飞凌合资,成立华亚科技,双方各占股46%,投资22亿美元(820亿元新台币),建设12英寸晶圆厂,产量由双方平分。到2006年,台湾一度大张旗鼓的DRAM产业热潮,还剩下6家厂商。其中三家是自主品牌厂商:南亚科技、茂德和力晶。还有三家是专做DRAM代工的厂商:华邦电子、新成立的华亚科技和瑞晶。其中华亚为德国英飞凌代工,瑞晶为日本尔必达代工生产DRAM。

德国英飞凌——台湾茂德、南亚、华亚的技术后

英飞凌前身是德国西门子的半导体部门。1996年,台湾茂矽电子(占股62%)与西门子的半导体部门合资,投资450亿元新台币,在新竹园区成立茂德电子,建设8英寸晶圆厂。采取西门子提供的制程生产DRAM晶圆,产量由两家分配。1998年由于产业不景气,西门子半导体部门从团体分离出来,成立了英飞凌,继承了西门子在半导体领域的三万多项专利,是当时仅次于三星、镁光的第三大DRAM厂商,2001年营业额57亿欧元。

2001年起,由于DRAM产业不景气,茂矽亏损300亿元新台币,并大量质押茂德股票,引发与英飞凌的矛盾。2002年10月,英飞凌突然与茂矽中断合资关系,终止技术授权合约,并停止采购茂德的晶圆。此后茂矽大量回购茂德股票,英飞凌则转向与南亚科技合作,由此组建了华亚半导体。英飞凌撤资后,茂德为了救急,前后与英飞凌的对手,日本尔必达和韩国海力士达成合作关系。尔后的发展非常艰苦,2007年金融危机后,茂德便一直亏损,到2012年破产时,负债高达700亿元(约21亿美元),已完全资不抵债。

英飞凌与南亚科技合作建设12英寸晶圆厂,希望通过合资方式掌握产能,挑战三星电子,目标是拿下全球30%的市场。然而建厂耗资巨大,市场却不景气。2005年,全球DRAM市场增长了57%,但内存平均价格下跌了40%。英飞凌为了规避风险,因而将亏损严重的DRAM业务分离出来,于2006年3月成立了奇梦达(Qimonda)。(2009年奇梦达破产后被中国浪潮集团并购。)

与此同时,2006年3月,南亚科技再次砸下800亿元台币(24亿美元),开工建设第二座12英寸晶圆厂。缘由是2005年7月,微软推出了Windows Vista操作系统。台湾厂商押宝该系统,会让消费者购买更多的DDR2内存。然而市场对Vista的冷漠反应,让人措手不及。更严重的是,一场席卷全球的金融风暴,完全摧毁了台湾DRAM产业的未来。

全球金融危机——压垮台湾DRAM产业

2007年8月,由美国次贷危机引发的金融风暴席卷全球。由于内存供过于求,价格出现全面崩盘。2007年1月,512M 667MHz DDR2颗粒的价格还有6美元,到年底已跌破成本价,仅为1.09美元。反映在中国市场上,2007年初,一根1GB 667MHz DDR2内存条的售价还在250元左右,乃至在暑期一路涨到360元。但是从8月中旬起,由于内存厂商降价清空库存,以应对经济危机,中国海关趁机放宽内存条进口,导致内存价格一路狂跌。到年底1G内存条的价格仅为110元,现代512M DDR2内存条的价格唯一65元。囤货炒内存条的商家因此亏到吐血。

反映到企业业绩上,全球DRAM厂商更是亏到哭。从2007年至2008年底,全球DRAM行业累计亏损超过125亿美元,台湾DRAM产业更是全线崩盘。其中资本实力最为雄厚的南亚科技,从2007年起,连续亏损了6年,累计亏损1608.6亿元(约49亿美元),最惨的时候每股净值只剩下0.09元。华亚科技从2008年起,连续亏损5年,累计亏损804.48亿元(约24.4亿美元)。这两家由台塑团体投资的DRAM厂,一共亏损2413.08亿元(约73亿美元)。如果不是台塑团体实力雄厚,南亚与华亚早就破产倒闭了。

2008年最惨的时候,力晶亏损565亿元,茂德亏损360.9亿元。几近每天亏损1亿元。台湾5家DRAM厂共亏损1592亿元(约48亿美元),创历史纪录。2009年初,台湾所有DRAM厂家放无薪假。

致命缺点——台湾缺少自主核心技术

2008年金融危机越烧越旺时,台湾官方便提出将台湾六家DRAM厂整合的计划。与韩国相比,台湾6家DRAM厂占全球市场份额还不到20%。也就是说,六家捆到一起,还抵不上韩国三星一家的产能。问题还不单单如此,台湾厂商主要存在三个致命问题:1没有核心技术研发能力,要花大价钱从日本、美国、德国厂商手里购买技术授权。国际上DRAM厂的平均研发费用要占企业营收的15-20%,而台湾仅6%。每一年台湾向外国支付的技术授权费用超过200亿元新台币(约6亿美元)。仅2007年,台湾四大DRAM厂支付的技术授权费就高达4.7亿美元。

2是没有制程设备研制能力,台湾每年要花费十几亿美元巨额资金,去购买日本、美国的设备。可是今年花十几亿美元进口的90纳米装备,明年他人已采用65纳米制程了。日本、韩国都拥有一定的装备研制能力,在装备本钱上要远低于台湾。3是台湾没有市场纵深,全要仰赖日本、韩国、美国、中国大陆厂商的采购订单。平时日本、韩国厂商能扔些订单到台湾。而1遇经济危机,日韩订单萎缩,台湾厂商立时堕入窘境。台湾的DRAM产品在容量、性能、品质、价格、品牌上都处于劣势,怎样跟韩国竞争?

台湾这类只图快进快出,靠购买技术授权、制程设备来快速扩充产能、赚快钱的经营模式。在面临韩国、日本财阀式经济团体的重压时,根本不堪一击。

台湾DRAM产业整合——乌合之众难成气候

为挽救债台高筑的DRAM厂,台湾官方的计划是进行产业整合。成立“台湾记忆体公司”(Taiwan Memory Company,TMC),由联华电子副董事长宣明智负责,对6家DRAM厂进行控股整合。同时与日本尔必达或美国镁光谈判,合作推进自主技术研发。台湾官方希望TMC是一家民营企业,政府投资越少越好,最多不超过300亿元新台币。

由于日本尔必达也在金融风暴中陷入窘境,因此愿意向台湾提供全部核心技术,以换取台湾的支援资金。但是台湾各家DRAM厂却其实不愿意整合。由于各家公司背后都有不同的技术合作对象,采用的技术不同。而且台湾官方的整合计划,并不能挽救各家工厂的财务窘境,因此整合工作很难推进。与此同时,台湾媒体也在火上浇油。如2009年3月7日,台湾自由时报,以《国发基金当心掉进大钱坑》为题,指称TMC是个钱坑,DRAM产业面临产能多余、流血竞争等局面。

到2009年10月,“DRAM产业再造方案”在立法院审议时遭到否决,制止国发基金投资TMC公司。与此同时,由于奇梦达破产和Windows7带来的换机热潮,推动DRAM市场景气回转,产品价格持续飙升。之前陷入窘境的各家厂商,情况出现好转。日本尔必达也因此谢绝向台湾转让核心技术。台湾DRAM产业整合计划,就此完全失败。

市场景气的暂时回暖,并不能改变台湾DRAM产业小而散、缺少技术、缺乏竞争力的局面,注定了它们被淘汰的命运。2010年,韩国三星砸下18万亿韩元(约170亿美元,合1100亿元人民币)巨额资金,倾全力发展DRAM和NAND闪存技术,血洗内存产业。日本、台湾厂商迅速败下阵来。

2012年2月,日本尔必达宣布破产,负债高达4480亿日元(89.6亿美元),是日本史上最大的破产案件。同月,台湾茂德申请破产保护,亏损总额超过700亿元新台币(约21亿美元)。南亚科技在2012年亏损360亿元,等于每天赔掉1亿元。自从奇梦达破产后,南亚科与美国镁光结成同盟。台塑旗下的华亚科技,从2008年至2012年,连续亏损五年,亏损总额达744.98亿元(约22.6亿美元)。2013年至2014年,华亚科技扭亏为盈,获利高达741亿元(含巨额退税)。盈亏相抵,仅亏损4亿元新台币。2015年12月,美国镁光以32亿美元(206亿元人民币),收购台湾华亚科技67%的股分。台塑团体终究甩掉了这个烫手山芋。

综观台湾DRAM产业发展三十年来,终究落得1地鸡毛。究其根源,在于台湾省政府盲目听信美国主导的自由市场经济理论。1980年代,台湾省政府还能在产业政策、产业技术上,对DRAM产业进行扶持。到2000年后,尽管陈水扁政府提出了“两兆双星”产业政策,但是对DRAM产业、液晶面板产业缺乏扶持力度,缺少产业主导能力,致使台湾DRAM、液晶面板产业,在小而散的毛病道路上越走越远,终究被韩国企业全面击溃。

台湾的产业失败经历,是用500亿美元巨额投入换来的。这个教训足够深刻。

全球DRAM产业复杂的竞争与合作关系,如同春秋战国时期的合纵连横。强者恒强,高度垄断。

中国大陆入局——一场只许胜不准败的战争

在外资厂商市场垄断下,华为、中兴、小米、联想等中国手机、pC厂商,经常遇到DRAM缺货情况。而在中国国内,唯一中芯国际具有少量DRAM产能,根本没法实现进口替换。

怎么办呢?有钱可以买吧?2015年7月,中国紫光团体向全球第三大DRAM厂商,美国镁光科技,提出230亿美元的收购要约。结果被镁光谢绝了,理由是担心美国政府,会以信息安全方面的斟酌,阻挠这项交易。

那就自己造吧。因而从2016年起,中国掀起了一场DRAM产业投资风暴。紫光集团宣布投资240亿美元,在武汉建设国家存储器基地(武汉新芯二期12英寸晶圆DRAM厂),占地超过1平方公里,2018年一期建成月产能20万片,预计到2020年建成月产能30万片,年产值超过100亿美元。计划2030年建成月产能100万片。福建晋华团体与台湾联华电子合作,一期投资370亿元,在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂,2018年建成月产能6万片,年产值12亿美元。计划到2025年四期建成月产能24万片。合肥长鑫投资494亿(72亿美元),2018年建成月产能12.5万片。

2017年1月,紫光团体宣布投资300亿美元(约2000亿人民币),在江苏南京投资建设半导体存储基地,一期投资100亿美元,建成月产能10万片,主要生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片。

上述四个项目总投资超过660亿美元(4450亿元人民币)。确切有点疯狂。

从上文世界DRAM产业的发展历史,就会让人看清一件事情

——拿钱砸死对手,少砸一点就会死!不相信的都死了

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